Шефталь Николай Наумович
(02.12.1902, Москва — 11.07.1987, Москва; похоронен на Хованском кладбище) — кристаллограф, доктор геолого-минералогических наук (1953), зав. лабораторией роста кристаллов в Институте кристаллографии АН СССР (1935—1986), профессор кафедры кристаллографии и кристаллохимии, руководитель лаборатории роста кристаллов геологического факультета МГУ (1964—1975), зам. председателя Научного совета по образованию кристаллов АН СССР, член совета по защите кандидатских диссертаций на геологическом факультете МГУ (1964—1985); редактор 10 сборников "Рост кристаллов", член редколлегий международных журналов "Kristall und Technik", "Materials research bulletin". Награжден орденами Трудового Красного Знамени (1972), "Знак Почета" (1953), Отечественной войны I степени (19§5). Родился в семье инженера; после окончания средней школы работал на ряде предприятий и одновременно преподавал в школе; в 1928 г. Поступил в МГУ и в связи с реорганизацией геологического образования закончил в 1932 г. геологическое отделение МГРИ по специальности "кристаллография и минералогия". После окончания института работает в Заочном геологоразведочном институте, где организует и возглавляет кафедру кристаллографии и минералогии.
В 1933 г. становится аспирантом МГРИ и проходит специализацию по росту кристаллов под руководством А. В. Шубникова, а в 1935 г. переходит в кристаллографический сектор Ломоносовского института АН СССР, где организует новую крупную лабораторию кристаллизации из растворов.
В 1939 г. защитил кандидатскую диссертацию по выращиванию монокристаллов сахарозы, а в 1953 г. — докторскую по выращиванию пьезокварца и слюды. С 1935 по 1986 г. заведовал лабораторией роста кристаллов в Институте кристаллографии АН СССР; в 1964 г. организует и руководит до 1975 г. лабораторией роста кристаллов на геологическом факультете МГУ. В 1986 г. вышел на пенсию.
Опубликовал около 200 научных работ по росту кристаллов; научная работа протекала в двух основных направлениях: 1) практическое получение большого числа монокристаллов, требуемых наукой, техникой, промышленностью, 2) разработка теории реального кристаллообразования или теории роста макроскопических кристаллов; в основу теории была положена связь между морфологией кристаллов, степенью их совершенства и условиями кристаллизации.
Им получены крупные, совершенные монокристаллы сахарозы, разработан и внедрен промышленный метод получения однородных монокристаллов сегнетовой соли, созданы два первых в нашей стране завода по монокристаллам; разработаны методы выращивания пьезокварца и осуществлен синтез слюды; впервые в мире им выращены эпитаксильные пленки полупроводников хлоридным методом кристаллизации из газовой фазы. Этот метод положил начало применению эпитаксильных пленок в полупроводниковой технике и в настоящее время стал основным промышленным способом производства интегральных схем и других изделий микроэлектроники.
Обосновал идею о возможности ориентировать осаждающиеся на подложку кристаллиты с помощью созданного на ней симметричного микрорельефа; это определило новый подход в кристаллизации, получивший название "искусственная эпитаксия". В области теории роста кристаллов показал, что совершенные монокристаллы стремятся к предельно простой форме, которая тождественна равновесной, соответствующей минимуму не только поверхностной, но и объемной свободной энергии; выдвинул и обосновал представление о роли микрокристаллов в образовании массивных кристаллов, предложил использовать резкий температурный перепад для выращивания совершенных кристаллов; уделил большое внимание изучению механизма образования двойников при росте кристаллов.
В Московском университете читал курсы "Кристаллография", "Рост кристаллов". В Московском университете и Институте кристаллографии АН СССР создал группу учеников, среди них — Н. И. Леонюк, Т. И. Тимченко, О. Г. Козлова, Л. И. Леонюк.
