Гарбузов Дмитрий Залманович

Член-корреспондент РАН (1991), заведующий отделом Физико-технического института; родился 27 октября 1940 г.; окончил ЛГУ в 1962 г.; главные направления научной деятельности: разработка полупроводниковых гетероструктур, разработка нового метода жидкофазной эпитаксии; лауреат Ленинской премии (1972) и Государственной премии СССР (1987); женат, имеет двоих детей.